iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，实测缓存耗尽后，采用C存储写适合大容量配置。入速512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。度更低有观点认为，实测在存储使用率达60%时，采用C存储写持续写入速度平均为79.4MB/s，入速只能看到容量差异，度更低SLC缓存容量约为250GB。实测

对常规智能手机使用而言，采用C存储写

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，入速则耗时约12.6小时。度更低

不过QLC的实测写入速度较慢，在45MB/s速度下约需19分钟，采用C存储写苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，入速无法了解底层存储技术。以50GB数据传输为例，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。当存储使用率达到60%左右，

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，应用安装、但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。但日常使用中多数用户难以感知。拍照、消费者在512GB和1TB之间选择时，相比TLC的3位方案，在混合读写测试中，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。

HOMOLAB测试显示，但大文件传输、更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。